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PECVD系统由管式炉,石英真空管、真空系统、供气系统、射频电源系统等组成。 PECVD 系统主要应用于金属薄膜,陶瓷薄膜等,复合薄膜,石墨烯等生长。 洛阳J9九游会可生产1200度实验用小型PECVD、1200度实验用双温区管式炉小型PECVD、低真空CVD系统、等离子增强化学气相沉积系统。
PECVD系统与CVD有什么区别？
气相沉积法化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用比较广泛的用来沉积多种材料的技术， 包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。
CVD 技术常常通过反应类型或者压力来分类，包括低压 CVD(LPCVD)，常压 CVD(APCVD)，亚常压 CVD(SACVD)，超高真空 CVD(UHCVD)，等离子体增强 CVD(PECVD)，高密度等离子体 CVD(HDPCVD) 以及快热 CVD(RTCVD)。
PECVD：是借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD).
PVD和热锚点CVD相比，PECVD可以在相对较低的温度（小于350℃）下沉积出高均匀性薄膜。此外，对于SiO2, SiNx, a-Si, SiON 和 DLC等材料的沉积，等离子沉积技术提供了良好的薄膜性能控制（折射率、硬度等）。
1200度实验用小型PECVD系统用途
1200度实验用小型PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。
1200度实验用小型PECVD系统系统配置；
1、1200度开启式滑动单温区真空管式炉
2、等离子射频电源
3、多路质量流量控制系统
4、真空系统（单独购买）
1200度实验用小型PECVD系统特性：
可实现手动滑动或自动滑动、气路数量2-5可选择；温度范围宽；溅射区域长；整管可调；精致小巧，性价比高，可实现快速升降温，是实验室生长薄膜石墨烯，陶瓷薄膜，金属薄膜，复合薄膜等的不错的选择，也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。
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